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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      177

      导通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最（zuì）大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      20

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟（gōu）道基（jī）于（yú）超（chāo）级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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